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一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置 

申请/专利权人:安徽微芯长江半导体材料有限公司

申请日:2024-04-29

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118238043A

主分类号:B24B27/033

分类号:B24B27/033;B24B41/06;B24B47/12;B24B55/06;B24B7/22;H01L21/67

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明公开了一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置,涉及晶片生长技术领域包括基座,基座上方固定设有载盘,基座后方固定设有驱动座,载盘中部通过支撑柱及多层连接机构安装有放置座,载盘位于放置座两侧固定设有支撑架,支撑架内架设有注液管,驱动座位于载盘一侧设有电机,电机的输出端通过旋转柱安装有旋转盘,旋转盘与放置座的位置相对,旋转盘底部固定设有磨砂轮,旋转盘的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛。本发明结构简单,针对于以背面镀上金属方式生产的碳化硅晶片,将其上的金属层腐蚀,对腐蚀后的金属层及其所黏连的沉积物扫落,并在金属层腐蚀后以打磨的方式对剩余沉积物清理,极大提高清理速度,适合推广。

主权项:1.一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置,包括基座1,所述基座1上方固定设有载盘2,所述基座1后方固定设有驱动座3,其特征在于,所述载盘2中部通过支撑柱13及多层连接机构安装有放置座5,所述载盘2位于放置座5两侧固定设有支撑架6,所述支撑架6内架设有注液管28,所述注液管28的开口处位于放置座5侧壁;所述驱动座3位于载盘2一侧设有升降架4,所述升降架4通过固定环8固定设有电机9,所述电机9的输出端通过旋转柱19安装有旋转盘10,所述旋转盘10与放置座5的位置相对,所述旋转盘10底部固定设有磨砂轮12,所述旋转盘10的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛11。

全文数据:

权利要求:

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