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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-04-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118292114A
主分类号：C30B33/02
分类号：C30B33/02;C30B29/48
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内上下移动，内石英坩埚通过石英固定圆盘和石英棒固定于石英安瓿内不同高度。本发明将晶片置于温度梯度区间内的不同位置处，结合镉源挥发的饱和蒸汽，进而实现各晶片在不同温度处的同时退火功能；退火后通过检测晶片，得到一定温度范围内最优的晶片退火温度，并将该温度用于后续同一晶锭中剩余晶片的退火处理，以保证该批次剩余晶片退火后的良率和性能。
主权项：1.一种CdZnTeSe晶片的退火装置，其特征在于，包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；所述加热炉，内部腔体从上至下分为上部温区、中部温区、下部温区；所述升降装置，与石英安瓿可拆卸地连接，驱动石英安瓿在加热炉内上下移动；所述石英安瓿，其顶部通过石英塞密封，保持内部真空环境；所述镉源放置于石英安瓿的底部；所述石英固定圆盘，放置于石英安瓿竖直方向的中部；所述石英固定圆盘上设置有两个与石英棒配套的限位槽、以及至少一个通气孔；一个限位槽中设置有两个圆形通孔，四个圆形通孔的圆心与石英固定圆盘的圆心间距相同，且圆形通孔的半径大于内石英坩埚的外径；所述内石英坩埚为底部封闭、顶部开口的圆筒形结构，且从下至上等间距地设置有至少4对大小相等的圆形对孔；内石英坩埚的底部用于放置CdZnTeSe晶片；所述内石英坩埚插入圆形通孔，同时石英棒穿过内石英坩埚的任一圆形对孔并放置于限位槽内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种CdZnTeSe晶片的退火装置
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