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申请/专利权人：重庆大学
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280847A
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L21/768;H01L23/544
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明提供了一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法，属于微电子封装技术领域。在传统的背面铝布线工艺中，需要经过两次光刻与刻蚀，流程比较复杂；本发明通过对TSV进行过抛光，使铝金属层沉积在沉积时得到TSV铜标记，在后续进行铝布线光刻使能够直接与TSV进行光刻对准，通过一次光刻、刻蚀便可完成铝布线层的制备，整个制备方法与现有的工艺流程兼容，且步骤简单，能够减少制备时间与制备成本。
主权项：1.一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：TSV转接板背面硅衬底减薄；TSV转接板背面硅衬底经过粗磨，精磨和化学机械研磨三次研磨减薄，比TSV的深度多10～20μm；步骤2：硅通孔露出；使用干法或者湿法刻蚀的方式去除TSV顶部的TSV转接板背面硅衬底，将TSV露出2～10μm；步骤3：生长SiNSiO2介质层；在硅衬底背面生长一层SiNSiO2介质层；步骤4：化学机械研磨+过抛光；采用化学机械研磨的方式研磨SiNSiO2介质层，使TSV的头部铜露出，此时TSV中铜与SiNSiO2介质层的高度差不超过50nm～100nm；然后将铜过抛光5～20秒，使得TSV的铜相对于SiNSiO2介质层表面凹陷100～500nm；步骤5：铝金属沉积；采用PVD或蒸发的方式在SiNSiO2介质层表面进行金属铝沉积，铝厚度为1～5μm，形成背面铝布线层；步骤6：铝布线光刻及刻蚀；在背面铝布线层上进行光刻涂胶显影与刻蚀，实现铝布线的图形化；在进行光刻涂胶时，根据TSV铜的光刻标记，实现背面铝布线层和TSV铜之间的光刻对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 一种硅转接板背面铝布线工艺与对准方法
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