龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：江苏首芯半导体科技有限公司
申请日：2023-11-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN117467984B
主分类号：C23C16/52
分类号：C23C16/52;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积装置及沉积方法。根据本发明实施例的薄膜沉积装置包括：反应腔，具有进气口和出气口；电极板，设置在反应腔内；以及基座，设置在反应腔内，具有用于承载晶圆的承载表面，承载表面与电极板相对设置；其中，电极板的第一端、基座的第一端与进气口相邻设置，电极板的第二端、基座的第二端与出气口相邻设置，以使气体由进气口经电极板与基座之间的气流通道流出至出气口；电极板的第一端与基座的第一端之间的距离为第一距离；电极板的第二端与基座的第二端之间的距离为第二距离，且第一距离小于第二距离。根据本发明实施例的薄膜沉积装置及沉积方法，能够沉积得到均匀性更好的薄膜。
主权项：1.一种薄膜沉积装置，包括：反应腔，具有进气口和出气口；电极板，设置在所述反应腔内；以及基座，设置在所述反应腔内，具有用于承载晶圆的承载表面，所述承载表面与所述电极板相对设置；其中，所述电极板的第一端、所述基座的第一端与所述进气口相邻设置，所述电极板的第二端、所述基座的第二端与所述出气口相邻设置，以使气体由所述进气口经所述电极板与所述基座之间的气流通道流出至所述出气口；所述电极板的第一端与所述基座的第一端之间的距离为第一距离；所述电极板的第二端与所述基座的第二端之间的距离为第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离；所述第一距离与所述第二距离的距离差根据沉积制程和巴申定理设置，以使晶圆表面各处的沉积层厚度均匀；所述电极板的第一端和或所述电极板的第二端与驱动单元相连接，所述驱动单元用于驱动所述电极板的第一端和或所述电极板的第二端接近或远离所述基座。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏首芯半导体科技有限公司 薄膜沉积装置及沉积方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号