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申请/专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日：2024-04-19
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280815A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/324;H01L21/304;B08B5/02;B08B3/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法，其针对现有技术中因背损伤工艺产生的掉落颗粒的异常硅片，通过酸碱复合式预清洗、离子清洗、退火处理、颗粒清洗、表面抛光等步骤的协同配合和综合作用，可有效减轻异常硅片背面镶嵌的SiO2颗粒与硅片本身的附着力，进而使SiO2颗粒从硅片表面脱落，以实现对硅片表面颗粒的有效清除，完成对颗粒异常硅片的有效挽救和修改。工艺本身步骤简单，操作方便，可有效降低生产成本，避免资源浪费。
主权项：1.一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、对颗粒异常硅片进行酸碱复合式预清洗，以除去异常硅片正面的颗粒，后经甩干后备用；步骤二、采用两道酸性去离子清洗液先后对完成步骤一处理后硅片进行表面清洗，以除去硅片表面的金属离子，后经甩干后备用；步骤三、在1h内将完成步骤二处理的硅片转置于通有惰性气体的退火炉中，在惰性气体保护下，升温至730~770℃进行保温处理20~40min，取出后自然冷却至室温，备用；步骤四、依次采用QDR-酸性颗粒清洗液-QDR-碱性颗粒清洗液-QDR对完成步骤三处理后的硅片进行表面清洗，以除去硅片表面附着的颗粒；其中，采用的酸性颗粒清洗液的温度为23~28℃，配方为HF：DIW=1:4~6；碱性颗粒清洗液的温度为57~63℃，配方为NH4OH：H2O2：DIW=1:2:（8~12）；步骤五、采用抛光工艺对完成步骤四处理后的硅片进行表面抛光，以除去硅片正面的机械损伤，即完成对硅片的修复。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 麦斯克电子材料股份有限公司 一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法
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