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申请/专利权人：胜高股份有限公司
申请日：2019-09-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113544816B
主分类号：H01L21/20
分类号：H01L21/20;C23C16/458;H01L21/205;H01L21/677
优先权：["20181225 JP 2018-241365"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开
摘要：本发明的晶片传送装置包括搬运机构以及将利用搬运机构搬运的硅晶片载置至基座（3）的载置机构，载置机构包括多个升降销（71、72、73）以及使多个升降销（71、72、73）与基座（3）相对移动的相对移动机构，搬运机构与载置机构中至少一者的结构构成为当以多个升降销（71、72、73）支承硅晶片时，特定的升降销（71）最初接触硅晶片的下表面。
主权项：1.一种晶片传送装置，向在硅晶片上形成外延膜的气相沉积装置的基座传送所述硅晶片，其特征在于，所述晶片传送装置包括：搬运机构，保持所述硅晶片并将其搬运至所述基座上；及载置机构，将利用所述搬运机构搬运的所述硅晶片载置至所述基座，所述载置机构包括：多个升降销，可升降地分别插入于贯穿所述基座的多个贯穿孔，在与所述贯穿孔之间设置有间隙而构成为能够相对于所述贯穿孔倾斜；及相对移动机构，使所述多个升降销与所述基座相对移动，所述相对移动机构使所述多个升降销相对于所述基座上升，由此以所述多个升降销支承所述硅晶片的下表面，并且，在解除利用所述搬运机构进行的所述硅晶片的保持后，使所述多个升降销相对于所述基座下降，由此将所述硅晶片载置至所述基座，当以所述多个升降销支承所述硅晶片时，所述搬运机构与所述载置机构中至少一者的结构构成为特定的升降销最初接触所述硅晶片的下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 胜高股份有限公司 晶片传送装置、气相沉积装置、晶片传送方法及外延硅晶片的制造方法
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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