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申请/专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日：2023-01-04
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291950A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及一种原子层沉积方法，所述方法至少包括：提供原子层沉积系统及基底，基底置于原子层沉积系统的反应腔中；向原子层沉积系统的反应腔中依次交替多次通入至少两种化学气相前驱体，在基底的表面进行化学吸附并反应形成膜层；其中，每种化学气相前驱体的每次通入过程至少呈两个脉冲，并在每个脉冲结束之后对原子层沉积系统的反应腔进行清理。在本发明中，每个脉冲结束后的清理能有效去除基底表面上不牢固的化学吸附层，下次脉冲通入的化学气相前驱体能有效对基底表面的空白部分进行弥补填充，形成牢固的质量更好的化学吸附层，使得化学吸附层能充分反应填充在基底表面并牢固地吸附，提高了化学吸附层的结构稳定性和厚度均匀性。
主权项：1.一种原子层沉积方法，其特征在于，至少包括：提供原子层沉积系统及基底，所述基底置于所述原子层沉积系统的反应腔中；向所述原子层沉积系统的反应腔中依次交替多次通入至少两种化学气相前驱体，在所述基底的表面进行化学吸附并反应形成膜层；其中，每种所述化学气相前驱体的每次通入过程至少呈两个脉冲，并在每个所述脉冲结束之后对所述原子层沉积系统的反应腔进行清理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆康佳光电技术研究院有限公司 原子层沉积方法
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