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一种钝化膜沉积方法、装置以及发光器件 

申请/专利权人:重庆康佳光电技术研究院有限公司

申请日:2023-01-04

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118291961A

主分类号:C23C22/73

分类号:C23C22/73;H01L33/44;H01L33/00;H01L33/06;C25D13/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本申请提供一种钝化膜沉积方法、装置以及发光二极管,该方法包括:提供一沉积装置,其中,所述沉积装置包括一反应腔室,所述反应腔室中容置有含硅源反应溶液,且所述反应腔室中设有负极;将一待沉积器件置于所述反应腔室内,并将所述待沉积器件与所述沉积装置的正极连接;对所述负极和所述正极通电,以使所述含硅源反应溶液在电场的作用下发生缩聚反应,并在所述待沉积器件的待沉积表面形成硅源附着层;分解所述硅源附着层以在所述待沉积表面形成钝化膜。本申请可有效提高得到钝化膜的质量,保证待沉积器件的光电性能。

主权项:1.一种钝化膜沉积方法,其特征在于,包括:提供一沉积装置,其中,所述沉积装置包括一反应腔室,所述反应腔室中容置有含硅源反应溶液,且所述反应腔室中设有负极;将一待沉积器件置于所述反应腔室内,并将所述待沉积器件与所述沉积装置的正极连接;对所述负极和所述正极通电,以使所述含硅源反应溶液在电场的作用下发生缩聚反应,并在所述待沉积器件的待沉积表面形成硅源附着层;分解所述硅源附着层以在所述待沉积表面形成钝化膜。

全文数据:

权利要求:

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