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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-04-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291140A
主分类号：C09K13/12
分类号：C09K13/12;C30B33/10;C30B29/48
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂，属于半导体器件加工技术领域。该腐蚀剂的配方为：3ml氢氟酸、2g重铬酸钾、0.25g硝酸银和10ml水；氢氟酸的体积分数为48.5％～49.5％。本发明在HHKA腐蚀液配方的基础上，将10ml体积分数为68～70％的浓硝酸替换为3ml体积分数为48.5％～49.5％的氢氟酸，在降低酸性强度的同时降低了腐蚀剂体系中N元素含量，达到减少晶片表面N元素组分含量的效果；同时，本发明通过降低腐蚀剂中酸的强度便于CdZnTeSe110面的腐蚀坑形貌基本均一的控制，减少腐蚀坑的差异程度，更易于观察。
主权项：1.一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂，其特征在于，所述腐蚀剂的配方为：3ml氢氟酸、2g重铬酸钾、0.25g硝酸银和10ml水；其中，氢氟酸的体积分数为48.5％～49.5％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂
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