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申请/专利权人：群创光电股份有限公司
申请日：2023-09-01
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299477A
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/10;H01L33/62;H01L33/02;H01L33/32;H01L33/46;H01L27/15
优先权：["20230104 US 63/436,889"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种半导体元件、包括半导体元件的电子装置与半导体晶片。半导体元件的量子井结构设置于第一型态半导体层与第二型态半导体层之间，并包括一对阻障层以及位于对阻障层之间的第一主动层与第二主动层。第一主动层与第二主动层分别包括不同浓度的13族元素。第一反射单元设置于第一型态半导体层下。第二反射单元设置于第二型态半导体层上，并与第一反射单元定义共振腔。量子井结构设置于共振腔中。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一第一型态半导体层；一第二型态半导体层；一量子井结构，设置于所述第一型态半导体层与所述第二型态半导体层之间，所述量子井结构包括一对阻障层以及位于所述一对阻障层之间的一第一主动层与一第二主动层，所述第一主动层与所述第二主动层分别包括不同浓度的13族元素；一第一反射单元，设置于所述第一型态半导体层下；以及一第二反射单元，设置于所述第二型态半导体层上，所述第二反射单元与所述第一反射单元定义一共振腔；其中，所述量子井结构设置于所述共振腔中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 群创光电股份有限公司 半导体元件、包括半导体元件的电子装置与半导体晶片
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