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申请/专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日：2024-04-20
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299471A
主分类号：H01L31/20
分类号：H01L31/20;H01L31/075;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L21/268;C30B31/04
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及背面P‑I‑N结构制备方法及高效晶硅电池制备方法，背面P‑I‑N结构制备方法是：对硅片制绒；在正面进行氧化处理得正面氧化层，对背面依次进行酸洗和碱抛光后在抛光面上依次制备隧穿层和本征非晶硅层；在本征非晶硅层上依次整面喷墨沉积含硼溶液以及含硅过渡溶液，对按要求事先限定的P+区进行激光固化处理，其他区域清洗形成预制P+区；然后整面喷墨沉积含磷溶液，烘干处理，对按要求事先限定的间隔区域激光开膜处理至露出本征非晶硅层，形成预制N+区以及间隔区域；高温晶化形成掺杂，清洗后得到背面P‑I‑N结构；以此为基础制备TBC电池；本发明工艺路线简化的同时兼顾保证了电池效率。
主权项：1.背面P-I-N结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供预制硅片，所述预制硅片的背面结构由内到外依次具有隧穿层和本征非晶硅层；在所述预制硅片的背面结构的表面进行P+区与N+区的限定，限定要求如下：P+区与N+区交替排列设置且P+区与N+区之间存在间隔区域；按要求在所述预制硅片的背面结构的表面依次喷墨沉积含硼溶液和含硅过渡溶液，对P+区进行激光固化处理，清洗未固化区域后形成预制P+区；接着整面喷墨沉积含磷溶液，烘干处理，对间隔区域进行激光开膜处理至露出预先沉积的本征非晶硅层，形成预制N+区以及间隔区域；然后进行高温晶化并掺杂，后续清洗，由此形成P+区、N+区交替排列且P+区与N+区之间存在间隔区域的背面P-I-N结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州时创能源股份有限公司 背面P-I-N结构制备方法及高效晶硅电池制备方法
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