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申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司

摘要：本发明涉及一种SiCJBS器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取N型衬底层1；在所述N型衬底层1上形成N型外延层2；在所述N型外延层2内注入离子形成P+注入区3；在所述N型衬底层1背面形成Ni欧姆接触金属层4；刻蚀所述P+注入区3和部分所述N型外延层2，以形成多个间距排列的倒梯形凹槽；在所述倒梯形凹槽处的所述N型外延层2和所述P+注入区3上形成Ti肖特基接触金属层5；在所述Ti肖特基接触金属层5上形成Al接触层6；在所述Ni欧姆接触金属层4背面形成TiNiAg接触层7。本发明通过倒梯形凹槽结构，将平面型SiCJBS的P+注入区引入到凹槽的侧壁上，从而实现横向尺寸的缩小，使元胞结构更加紧凑。

主权项：1.一种SiCJBS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1、选取N型衬底层1，所述N型衬底层1为N型4H-SiC衬底层；步骤2、在所述N型衬底层1上形成N型外延层2，所述N型外延层2为N型4H-SiC外延层；步骤3、在所述N型外延层2内注入离子形成P+注入区3，所述P+注入区3从所述N型外延层2的上表面延伸至内部；步骤4、在所述N型衬底层1背面形成Ni欧姆接触金属层4；步骤5、对已制备的所述N型衬底层1、所述N型外延层2、所述P+注入区3和所述Ni欧姆接触金属层4在1000℃下进行快速热退火处理；步骤6、刻蚀所述P+注入区3和部分厚度的所述N型外延层2，以形成多个间距排列的倒梯形凹槽，在两个所述倒梯形凹槽之间具有梯形的P+注入区3，在相邻梯形的P+注入区3之间的下方有部分所述N型外延层2被刻蚀为梯形，所述梯形的P+注入区3中远离所述N型衬底层1的一侧的宽度小于靠近所述N型衬底层1的一侧的宽度，经刻蚀形成的倒梯形凹槽的底部为被刻蚀后裸露的所述N型外延层2的表面，所述倒梯形凹槽的两个底角为弧形，且与水平面的角度为60°~80°，刻蚀深度为1μm~1.2μm；步骤7、在所述梯形的P+注入区3的上表面和侧面、梯形的N型外延层2的侧面以及倒梯形凹槽底部的N型外延层2上形成Ti肖特基接触金属层5，相邻的P+注入区3之间的Ti肖特基接触金属层5为倒梯形凹槽结构；步骤8、对已制备的所述N型衬底层1、所述N型外延层2、所述P+注入区3、所述Ni欧姆接触金属层4和Ti肖特基接触金属层5在600℃下进行快速热退火处理；步骤9、在所述Ti肖特基接触金属层5上形成Al接触层6；步骤10、在所述Ni欧姆接触金属层4背面依次形成Ti层、Ni层、Ag层，以形成TiNiAg接触层7。

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