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一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET 

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申请/专利权人:西安电子科技大学

摘要:本发明涉及一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET,包括:层叠设置的N型衬底层和N型电流传输层,设置在N型电流传输层内的P型半包结构,设置在N型电流传输层内的第一p型柱,与第一p型柱间隔的设置在N型电流传输层内且位于P型半包结构之上的第二p型柱,从第二p型柱的第二侧面所在的平面至N型电流传输层的第一侧面所在的平面包括的部分形成JBS区域,从第二p型柱的第一侧面所在的平面至N型电流传输层的第二侧面所在的平面包括的部分形成双沟道半包UMOSFET区域。本发明的UMOSFET同时集成有成JBS区域和双沟道半包UMOSFET区域,JBS的集成能够很大程度优化其反向恢复特性,以及可以在一定程度上改善基底面位错相关的双极性退化问题,保证UMOSFET区域的正常导电。

主权项:1.一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET,其特征在于,所述UMOSFET包括:N型衬底层;N型漂移区,设置于所述N型衬底层之上;N型电流传输层,设置于所述N型漂移区之上;P型半包结构,设置在所述N型电流传输层内,且所述P型半包结构的下表面与所述N型电流传输层的下表面在同一平面;第一p型柱,设置在所述N型电流传输层内,且所述第一p型柱的上表面和第一侧面分别与所述N型电流传输层的上表面和第一侧面在同一平面;第二p型柱,与所述第一p型柱间隔的设置在所述N型电流传输层内,且位于所述P型半包结构之上,所述第一p型柱与所述第二p型柱的深度相等,所述第二p型柱的上表面与所述N型电流传输层的上表面在同一平面,所述第二p型柱的第一侧面与所述P型半包结构中靠近第一p型柱的一侧面在同一平面;其中,从所述第二p型柱的第二侧面所在的平面至所述N型电流传输层的第一侧面所在的平面包括的部分形成JBS区域,从所述第二p型柱的第一侧面所在的平面至所述N型电流传输层的第二侧面所在的平面包括的部分形成双沟道半包UMOSFET区域。

全文数据:

权利要求:

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