龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET，包括：层叠设置的N型衬底层和N型电流传输层，设置在N型电流传输层内的P型半包结构，设置在N型电流传输层内的第一p型柱，与第一p型柱间隔的设置在N型电流传输层内且位于P型半包结构之上的第二p型柱，从第二p型柱的第二侧面所在的平面至N型电流传输层的第一侧面所在的平面包括的部分形成JBS区域，从第二p型柱的第一侧面所在的平面至N型电流传输层的第二侧面所在的平面包括的部分形成双沟道半包UMOSFET区域。本发明的UMOSFET同时集成有成JBS区域和双沟道半包UMOSFET区域，JBS的集成能够很大程度优化其反向恢复特性，以及可以在一定程度上改善基底面位错相关的双极性退化问题，保证UMOSFET区域的正常导电。
主权项：1.一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET，其特征在于，所述UMOSFET包括：N型衬底层；N型漂移区，设置于所述N型衬底层之上；N型电流传输层，设置于所述N型漂移区之上；P型半包结构，设置在所述N型电流传输层内，且所述P型半包结构的下表面与所述N型电流传输层的下表面在同一平面；第一p型柱，设置在所述N型电流传输层内，且所述第一p型柱的上表面和第一侧面分别与所述N型电流传输层的上表面和第一侧面在同一平面；第二p型柱，与所述第一p型柱间隔的设置在所述N型电流传输层内，且位于所述P型半包结构之上，所述第一p型柱与所述第二p型柱的深度相等，所述第二p型柱的上表面与所述N型电流传输层的上表面在同一平面，所述第二p型柱的第一侧面与所述P型半包结构中靠近第一p型柱的一侧面在同一平面；其中，从所述第二p型柱的第二侧面所在的平面至所述N型电流传输层的第一侧面所在的平面包括的部分形成JBS区域，从所述第二p型柱的第一侧面所在的平面至所述N型电流传输层的第二侧面所在的平面包括的部分形成双沟道半包UMOSFET区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种新型集成JBS的双沟道半包结构的UMOSFET
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号