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申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司
摘要：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过在第二方向上，使沟道部的至少部分的宽度大于掺杂部的宽度，使得在栅极偏置状态下，沟道部边缘的电荷量较少甚至无电荷积累，使得沟道部的边缘无电场，从而不会出现半导体器件的边缘区域相较于中间区域提前开启的问题，从而提高显示均一性，且增加沟道部的宽度可以增加有效沟道宽度，提高半导体器件的迁移率，提高半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的掺杂部；源漏极层，设置于所述衬底一侧，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道部两侧的所述掺杂部连接；其中，在所述有源层所在平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述沟道部指向所述掺杂部的方向为第一方向，在所述第二方向上，所述沟道部的至少部分的宽度大于所述掺杂部的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 半导体器件和电子器件
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