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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
摘要：本发明公开一种碳化硅异质结JBS二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于衬底层的一侧；第一金属层，位于N型外延层远离衬底层的一侧并与N型外延层形成肖特基接触；第二金属层，位于第一金属层远离N型外延层的一侧；两个第一P型注入区，位于N型外延层内并和第一金属层部分接触；多个第二P型注入区，位于两个第一P型注入区之间；多个多晶硅区，位于第二P型注入区与第一金属层之间，每个第二P型注入区对应一个多个多晶硅区，并与第二P型注入区形成第一欧姆接触。利用P型注入区与多晶硅易形成欧姆接触的特点，在制备过程中无需进行高温退火形成欧姆接触，减少了SiCJBS二极管的正面欧姆接触过程，简化制造工艺。
主权项：1.一种碳化硅异质结JBS二极管，其特征在于，所述碳化硅异质结JBS二极管包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层的一侧；第一金属层，位于所述N型外延层远离所述衬底层的一侧并与所述N型外延层形成肖特基接触；第二金属层，位于所述第一金属层远离所述N型外延层的一侧；两个第一P型注入区，位于所述N型外延层内并和所述第一金属层部分接触；多个第二P型注入区，位于两个所述第一P型注入区之间；多个多晶硅区，位于所述第二P型注入区与所述第一金属层之间，且每个所述第二P型注入区对应一个多晶硅区，所述多晶硅区和所述第二P型注入区形成第一欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 一种碳化硅异质结JBS二极管及制备方法
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