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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区，其中，边界设置在所述第一有源区与所述第二有源区之间；器件隔离层，在所述衬底上位于所述第一有源区与所述第二有源区之间的沟槽中；第一沟道图案和第一源极漏极图案，位于所述第一有源区上；第二沟道图案和第二源极漏极图案，位于所述第二有源区上；第一栅电极，位于所述第一沟道图案上并且跨越所述第一有源区延伸；第二栅电极，位于所述第二沟道图案上并且跨越所述第二有源区延伸；以及有源接触，位于所述第一源极漏极图案和所述第二源极漏极图案上。所述器件隔离层包括位于所述第一有源区之间的突起结构。所述突起结构与所述边界相邻。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区沿着第一方向布置，其中，所述第二有源区沿着所述第一方向布置，其中，所述第一有源区与所述第二有源区之间的边界在所述第一方向上延伸；器件隔离层，所述器件隔离层在所述衬底上位于所述第一有源区与所述第二有源区之间的沟槽中；第一沟道图案和第一源极漏极图案，所述第一沟道图案和所述第一源极漏极图案位于每一个所述第一有源区上；第二沟道图案和第二源极漏极图案，所述第二沟道图案和所述第二源极漏极图案位于每一个所述第二有源区上；第一栅电极，所述第一栅电极位于所述第一沟道图案上，其中，所述第一栅电极在所述第一方向上跨越所述第一有源区延伸；第二栅电极，所述第二栅电极位于所述第二沟道图案上，其中，所述第二栅电极在所述第一方向上跨越所述第二有源区延伸；以及多个有源接触，所述多个有源接触位于每一个所述第一有源区上的所述第一源极漏极图案和每一个所述第二有源区上的所述第二源极漏极图案上，其中，所述器件隔离层包括位于所述第一有源区中的相邻的第一有源区之间的突起结构，并且其中，所述突起结构与所述边界相邻。
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