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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种钙钛矿型JBS二极管及其制备方法，包括以下步骤：S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层；S2、通过PECVD在N‑外延层上生长一层掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行ICP刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、直接将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N‑外延层；S5、对器件此时的沟槽型的N‑外延层进行旋胶处理，然后进行掩模和曝光处理；S6、制备P型钙钛矿PEA2SnI4的溶液。本发明与现有技术相比优点在于：本发明创新性地将离子注入的P型材料替换为钙钛矿的旋涂和退火，此设计大大节约了生产成本和时间，且提高了工艺的效率。
主权项：1.一种钙钛矿型JBS二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N-外延层；S2、通过PECVD在N-外延层上生长一层掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N-外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行ICP刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、直接将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N-外延层；S5、对器件此时的沟槽型的N-外延层进行旋胶处理，然后进行掩模和曝光处理，在显影之后除了沟槽部分其它部分将都有光刻胶成分；S6、制备P型钙钛矿PEA2SnI4的溶液，通过二甲基甲酰胺DMF来制备钙钛矿溶液，在N-外延层上进行多次旋涂和退火处理，使其能够形成稳定的P型层结构；S7、最后进行器件的电极蒸镀处理，在表面蒸镀一层导电金属层A充当正极，在器件背面蒸镀一层导电金属层B以充当器件的负极。
全文数据：
权利要求：
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