首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种钙钛矿型JBS二极管及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:浙江芯科半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种钙钛矿型JBS二极管及其制备方法,包括以下步骤:S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层;S2、通过PECVD在N‑外延层上生长一层掩模层,然后进行涂胶操作,涂胶以后用掩模板光刻并曝光,在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀;S3、将器件进行ICP刻蚀,刻蚀出两个沟槽;S4、直接将器件放入X中用于去除剩余的SiO2,得到沟槽型的N‑外延层;S5、对器件此时的沟槽型的N‑外延层进行旋胶处理,然后进行掩模和曝光处理;S6、制备P型钙钛矿PEA2SnI4的溶液。本发明与现有技术相比优点在于:本发明创新性地将离子注入的P型材料替换为钙钛矿的旋涂和退火,此设计大大节约了生产成本和时间,且提高了工艺的效率。

主权项:1.一种钙钛矿型JBS二极管的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N-外延层;S2、通过PECVD在N-外延层上生长一层掩模层,然后进行涂胶操作,涂胶以后用掩模板光刻并曝光,在N-外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀;S3、将器件进行ICP刻蚀,刻蚀出两个沟槽;S4、直接将器件放入X中用于去除剩余的SiO2,得到沟槽型的N-外延层;S5、对器件此时的沟槽型的N-外延层进行旋胶处理,然后进行掩模和曝光处理,在显影之后除了沟槽部分其它部分将都有光刻胶成分;S6、制备P型钙钛矿PEA2SnI4的溶液,通过二甲基甲酰胺DMF来制备钙钛矿溶液,在N-外延层上进行多次旋涂和退火处理,使其能够形成稳定的P型层结构;S7、最后进行器件的电极蒸镀处理,在表面蒸镀一层导电金属层A充当正极,在器件背面蒸镀一层导电金属层B以充当器件的负极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浙江芯科半导体有限公司 一种钙钛矿型JBS二极管及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。