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申请/专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
摘要：本发明提供一种JBS二极管结构及其制备方法，该JBS二极管结构包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型阱区、第一电极及第二电极，其中，外延层位于衬底的上表面；多个阱区间隔设置，阱区位于外延层上表层，包括第一注入区及第二注入区，多个向上依次层叠的第二导电类型掺杂区组成第二注入区，掺杂区的横向宽度大于第一注入区的横向宽度；第一电极位于外延层上表面并与外延层及阱区电连接，第二电极位于衬底下表面并与衬底电连接。本发明通过调整形成阱区的工艺，使阱区的侧壁形成曲率较大的尖端区域，增大尖端区域电场强度，使器件的电场强度峰值转移到阱区侧壁的尖端区域，降低了器件的漏电流，提升了器件的反向击穿电压。
主权项：1.一种JBS二极管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一导电类型衬底，于所述衬底的上表面形成第一导电类型外延层；于所述外延层的上表面形成图案化的遮蔽层以得到多个间隔设置的开口；基于所述开口于所述外延层的上表层形成预设深度的第二导电类型第一注入区；对所述遮蔽层中的所述开口的边缘进行多次刻蚀，使所述开口的边缘外扩，且每次刻蚀过后，基于外扩后的所述开口于所述第一注入区的下方形成横向宽度大于所述第一注入区的第二导电类型掺杂区，多个所述掺杂区向上依次层叠组成第二导电类型第二注入区，所述第一注入区的底面与所述第二注入区的上表面接触，所述第一注入区与所述第二注入区组成第二导电类型阱区；于所述外延层的上表面形成与所述外延层及所述阱区电连接的第一电极，于所述衬底的下表面形成与所述衬底电连接的第二电极。
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百度查询： 无锡华润华晶微电子有限公司 一种JBS二极管结构及其制备方法
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