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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞结构及器件版图，其中，每个元胞结构均包括一个半包围式VDMOS元胞和一个条形JBS二极管；JBS二极管位于VDMOS元胞的下方，且JBS二极管的长度等同于VDMOS元胞宽度。多个元胞结构通过阵列排布即可形成器件版图。本发明通过该结构设计，可在很小的面积内实现MOSFET和JBS二极管单片集成，大幅度减小了器件的元胞面积，提高了芯片的利用面积，降低了寄生效应和制造成本。
主权项：1.一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞结构，其特征在于，包括一个半包围式VDMOS元胞和一个条形JBS二极管；所述JBS二极管位于所述VDMOS元胞的下方，且所述JBS二极管的长度等同于所述VDMOS元胞宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞结构及器件版图
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