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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开一种JBS二极管器件的结构及其制造方法，涉及半导体材料领域，以提高JBS二极管器件的正向特性。所述JBS二极管器件由下至上依次包括：欧姆金属层、碳化硅重掺杂衬底、碳化硅轻掺杂外延层、P型导电区域以及肖特基金属层；所述碳化硅轻掺杂外延层上刻蚀有呈阶梯状的沟槽，所述沟槽至少包括两级阶梯，且所述呈阶梯状的沟槽的横截面宽度由下至上逐级增大；所述呈阶梯状的沟槽底部的至少一级阶梯中覆盖有通过离子注入的方式生成的所述P型导电区域；进行所述离子注入的阶梯数量小于所述沟槽的总阶梯数量；所述P型导电区域上方覆盖所述肖特基金属层；所述肖特基金属层与所述呈阶梯状的沟槽的内侧壁相接触。
主权项：1.一种JBS二极管器件的结构，其特征在于，所述JBS二极管器件由下至上依次包括：欧姆金属层、碳化硅重掺杂衬底、碳化硅轻掺杂外延层、P型导电区域以及肖特基金属层；所述碳化硅轻掺杂外延层上刻蚀有呈阶梯状的沟槽，所述沟槽至少包括两级阶梯，且所述呈阶梯状的沟槽的横截面宽度由下至上逐级增大；所述呈阶梯状的沟槽底部的至少一级阶梯中覆盖有通过离子注入的方式生成的所述P型导电区域；进行所述离子注入的阶梯数量小于所述沟槽的总阶梯数量；所述P型导电区域上方覆盖所述肖特基金属层；所述肖特基金属层与所述呈阶梯状的沟槽的内侧壁相接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种JBS二极管器件的结构及其制造方法
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