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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种SiC超结JBS器件的制备方法，所述制备方法包括利用剥离技术将带有P柱的晶圆薄层转移到另一带有P柱的晶圆上，在键合过程中使P柱对准并形成上下导电的键合界面步骤。上述方法可以解决现有技术中深P柱通过多次外延，每次外延厚度固定且较薄，外延次数的增加导致成本增加的问题；以及深沟槽工艺中，对于高深宽比的沟槽，在进行倾斜注入时，由于倾斜角度有限，侧边注入深度受限等问题；且制备超结方法成本较低，工艺简单，可实现超高深宽比的PN柱。
主权项：1.一种SiC超结JBS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括利用剥离技术将带有P柱的晶圆薄层转移到另一带有P柱的晶圆上，在键合过程中使P柱对准并形成上下导电的键合界面步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种SiC超结JBS器件的制备方法
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