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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案，所述沟道图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；源极漏极图案，所述源极漏极图案连接到所述多个半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上；和阻挡层，所述阻挡层位于所述源极漏极图案和所述有源图案之间，其中，所述源极漏极图案包括朝向所述半导体图案突出的突出侧表面，所述阻挡层包括硅锗SiGe，并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极漏极图案的锗浓度。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案，所述沟道图案位于所述有源图案上，所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案；源极漏极图案，所述源极漏极图案连接到所述多个半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述多个半导体图案上；和阻挡层，所述阻挡层位于所述源极漏极图案和所述有源图案之间，其中：所述源极漏极图案包括朝向所述多个半导体图案突出的突出侧表面，所述阻挡层包括硅锗，并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极漏极图案的锗浓度。
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