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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:一种半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源图案;沟道图案,所述沟道图案位于所述有源图案上,所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案;源极漏极图案,所述源极漏极图案连接到所述多个半导体图案;栅电极,所述栅电极位于所述多个半导体图案上;和阻挡层,所述阻挡层位于所述源极漏极图案和所述有源图案之间,其中,所述源极漏极图案包括朝向所述半导体图案突出的突出侧表面,所述阻挡层包括硅锗SiGe,并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极漏极图案的锗浓度。
主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源图案;沟道图案,所述沟道图案位于所述有源图案上,所述沟道图案包括被堆叠为彼此间隔开的多个半导体图案;源极漏极图案,所述源极漏极图案连接到所述多个半导体图案;栅电极,所述栅电极位于所述多个半导体图案上;和阻挡层,所述阻挡层位于所述源极漏极图案和所述有源图案之间,其中:所述源极漏极图案包括朝向所述多个半导体图案突出的突出侧表面,所述阻挡层包括硅锗,并且所述阻挡层的锗浓度高于所述源极漏极图案的锗浓度。
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