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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞及器件版图，元胞包括：中心区域和4个延伸区域，其中，所述中心区域包括VDMOS元胞的边缘结构和JBS二极管，所述VDMOS元胞的边缘结构围绕形成挖空区域，所述JBS二极管位于所述挖空区域中且与所述边缘结构连接；所述4个延伸区域平行且对称地设置在所述中心区域的相对两侧，且与所述VDMOS元胞的边缘结构连接形成VDMOS元胞，所述4个延伸区域的结构均相同。本发明实施例可以在很小的面积内将VDMOS和JBS二极管进行单片集成，大幅度减小了器件的元胞面积，提高了芯片的利用面积，同时提高了器件中JBS二极管的面积占比，增强了器件的反向续流特性。
主权项：1.一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞，其特征在于，包括：中心区域1和4个延伸区域2，其中，所述中心区域1包括VDMOS元胞的边缘结构和JBS二极管，所述VDMOS元胞的边缘结构围绕形成挖空区域，所述JBS二极管位于所述挖空区域中且与所述边缘结构连接；所述4个延伸区域2平行且对称地设置在所述中心区域1的相对两侧，且与所述VDMOS元胞的边缘结构连接形成VDMOS元胞，所述4个延伸区域2的结构均相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞及器件版图
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