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一种集成JBS二极管的SiC MOSFET元胞及器件版图 

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申请/专利权人:西安电子科技大学

摘要:本发明涉及一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞及器件版图,元胞包括:中心区域和4个延伸区域,其中,所述中心区域包括VDMOS元胞的边缘结构和JBS二极管,所述VDMOS元胞的边缘结构围绕形成挖空区域,所述JBS二极管位于所述挖空区域中且与所述边缘结构连接;所述4个延伸区域平行且对称地设置在所述中心区域的相对两侧,且与所述VDMOS元胞的边缘结构连接形成VDMOS元胞,所述4个延伸区域的结构均相同。本发明实施例可以在很小的面积内将VDMOS和JBS二极管进行单片集成,大幅度减小了器件的元胞面积,提高了芯片的利用面积,同时提高了器件中JBS二极管的面积占比,增强了器件的反向续流特性。

主权项:1.一种集成JBS二极管的SiCMOSFET元胞,其特征在于,包括:中心区域1和4个延伸区域2,其中,所述中心区域1包括VDMOS元胞的边缘结构和JBS二极管,所述VDMOS元胞的边缘结构围绕形成挖空区域,所述JBS二极管位于所述挖空区域中且与所述边缘结构连接;所述4个延伸区域2平行且对称地设置在所述中心区域1的相对两侧,且与所述VDMOS元胞的边缘结构连接形成VDMOS元胞,所述4个延伸区域2的结构均相同。

全文数据:

权利要求:

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