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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：沟槽型碳化硅JBS二极管器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述N型注入区的深度小于P型注入区的深度；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本实用新型通过终端沟槽刻蚀掉终端区表面的N型注入区，可以减小N型注入区对终端耗尽区扩展影响，提高了器件终端效率。
主权项：1.沟槽型碳化硅JBS二极管器件，包括从下而上依次设置的背面加厚金属（15）、背面欧姆接触金属（14）、碳化硅衬底（1）、碳化硅外延层（2）和N型注入区（3）；其特征在于，所述N型注入区（3）的顶面设有伸入碳化硅外延层（2）的终端沟槽（5）和若干间隔设置的源区沟槽（4）；所述源区沟槽（4）的槽底设有向下延伸的P型注入区（6）；所述N型注入区（3）的深度小于P型注入区（6）的深度；所述终端沟槽（5）的顶面设有伸入碳化硅外延层（2）的P型主结（8）和若干间隔设置的P型分压环（7）；所述碳化硅外延层（2）上设有覆盖P型主结（8）和若干P型分压环（7）的场氧层（9）；位于端部所述N型注入区（3）的顶面设有经过源区沟槽（4）并延伸至场氧层（9）上表面的正面肖特基金属（10）；所述正面肖特基金属（10）的顶面设有正面加厚金属（11）；所述场氧层（9）上设有延伸至正面加厚金属（11）上表面的无机钝化层（12）；所述无机钝化层（12）上设有有机钝化层（13）。
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