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申请/专利权人：意法半导体股份有限公司
摘要：本公开的实施例涉及具有密封层的半导体封装或器件。本公开涉及导电层上的导电结构的实施例，该导电层可以是半导体器件或封装的导电大马士革层。导电大马士革层可以在半导体器件或封装的衬底内。在导电结构的一个或多个侧壁与衬底上的一个或多个绝缘层的一个或多个侧壁之间存在缝隙，并且缝隙延伸到导电层的表面。在缝隙中形成密封层，该密封层密封导电层以免受半导体器件或封装外部的可能进入缝隙的湿气和污染物影响。换句话说，密封层阻止湿气和污染物到达导电层，使得导电层不会由于暴露于湿气和污染物而腐蚀。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括第一表面；导电层，位于所述衬底内，所述导电层包括从所述衬底的所述第一表面暴露的第二表面；第一绝缘层，位于在所述衬底的所述第一表面上，所述第一绝缘层具有第一侧壁，所述第一侧壁横向于所述衬底的所述第一表面和所述导电层的所述第二表面；第一开口，通过所述第一绝缘层延伸至导电层的所述第二表面，所述第一开口与所述第一绝缘层的所述第一侧壁相邻；导电结构，位于所述第一开口中，位于所述导电层的所述第二表面上，并且被耦合到所述导电层，所述导电结构包括第二侧壁，所述第二侧壁面向所述第一侧壁，并且与所述第一绝缘层的所述第一侧壁间隔开；缝隙，位于所述第一绝缘层的所述第一侧壁与所述导电结构的所述第二侧壁之间，所述缝隙沿着所述第一绝缘层的所述第一侧壁和所述导电结构的所述第二侧壁延伸至所述导电层的所述第二表面；以及密封层，位于所述缝隙内并且位于所述导电结构的所述第二表面上，以密封所述导电结构的所述第二表面以免受所述缝隙外部的环境影响。
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权利要求：
百度查询： 意法半导体股份有限公司 半导体器件
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