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申请/专利权人：株式会社迪思科
摘要：本发明提供晶片的切削方法和层叠晶片的加工方法，晶片的切削方法具有：保持步骤101，利用卡盘工作台的保持面对晶片进行保持；定位步骤102，在将安装于主轴的前端的切削刀具定位于未重叠在保持面上的位置的状态下，将切削刀具的外周端部定位于晶片的切入深度，该主轴具有与保持面平行的方向的旋转轴；直线切削步骤103，将晶片的外周端部呈直线状切削从而将晶片的倒角部的一部分切削；旋转步骤104，使卡盘工作台以规定的旋转角度旋转；以及重复步骤105，重复实施直线切削步骤103和旋转步骤104直到将晶片的倒角部全部去除为止。
主权项：1.一种晶片的切削方法，对圆盘状的晶片的外周端部进行切削，将倒角部去除，其中，该晶片的切削方法具有如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台的保持面对该晶片进行保持；定位步骤，在将安装于主轴的前端的切削刀具定位于未重叠在该保持面上的位置的状态下，使该主轴和该卡盘工作台在与该保持面垂直的方向上相对地接近，将该切削刀具的外周端部定位于该晶片的切入深度，该主轴具有与该保持面平行的方向的旋转轴；直线切削步骤，使该主轴和该卡盘工作台在与该保持面平行且与该主轴的旋转轴垂直的方向上相对地移动，将该晶片的该外周端部呈直线状切削从而将该晶片的该倒角部的一部分切削；旋转步骤，在该直线切削步骤之后，使该卡盘工作台以规定的旋转角度旋转；以及重复步骤，重复实施该直线切削步骤和该旋转步骤直到将该晶片的该倒角部全部去除为止。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社迪思科 晶片的切削方法和层叠晶片的加工方法
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