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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种掩膜层及其形成方法包括：提供一基底，所述基底具有图形区，且相邻两个所述图形区之间用沟槽隔离开来；在所述沟槽内填充光刻胶；以及，在所述基底及所述光刻胶的表面形成硬掩膜层。即，本发明在形成硬掩膜层之前，先利用光刻胶填充沟槽，如此，可减小在对掩膜材料进行烘烤以形成硬掩膜层时，因掩膜材料收缩而导致沟槽上方的硬掩膜层出现的厚度差，提高掩膜平坦度，从而可以提高图案转移质量，另外，可不必对硬掩膜层表面进行平坦化处理，因此可以省去因机械研磨所带来的成本。
主权项：1.一种掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底具有图形区，且相邻两个所述图形区之间用沟槽隔离开来；在所述沟槽内填充光刻胶；以及，在所述基底及所述光刻胶的表面形成硬掩膜层；其中，在所述沟槽内填充光刻胶的方法包括：在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层为负光刻胶；以及，对所述光刻胶层进行光刻，以去除所述光刻胶层除所述沟槽内的光刻胶以外的部分，对所述光刻胶层进行光刻时，根据开口宽度是否大于或等于设定值来区分出所述沟槽及所述图形区的位置，并相应设计掩膜版；若开口宽度大于或等于所述设定值，则划分为所述沟槽，与所述掩膜版的曝光区域相对应；若开口宽度小于所述设定值，则划分为属于所述图形区，与所述掩膜版的非曝光区域相对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 一种掩膜层及形成方法
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