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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括隔离区；形成若干平行排列的栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层；去除隔离区上的栅极结构和第一介质层，在栅极结构内形成沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿栅极结构的第一开口，在第一介质层内形成暴露出源漏掺杂区表面的第二开口，第一开口和第二开口相连通；在第二开口内形成第二介质层；在第一开口内形成隔离结构；刻蚀源漏掺杂区上的第一介质层和第二介质层，在栅极结构之间形成第三开口，第二介质层的刻蚀速率与第一介质层的刻蚀速率之间具有第一差值，且第一介质层的刻蚀速率与隔离结构的刻蚀速率之间具有第二差值，第二差值大于第一差值。所形成的半导体结构性能得到提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括隔离区；形成若干平行排列的栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层，所述栅极结构位于衬底上，若干所述栅极结构横跨所述隔离区，所述源漏掺杂区位于栅极结构两侧的衬底内，所述第一介质层位于栅极结构侧壁；去除隔离区上的栅极结构和第一介质层，在栅极结构内形成第一开口，所述第一开口沿垂直于栅极结构延伸方向贯穿所述栅极结构，在第一介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出所述源漏掺杂区表面，且所述第一开口和第二开口相连通；在第二开口内形成第二介质层；在第一开口内形成隔离结构；刻蚀源漏掺杂区上的第一介质层和第二介质层，在栅极结构之间形成第三开口，所述第二介质层的刻蚀速率与所述第一介质层的刻蚀速率之间具有第一差值，且第一介质层的刻蚀速率与所述隔离结构的刻蚀速率之间具有第二差值，所述第二差值大于第一差值。
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