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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括第一区、多个第二区和多个第三区，第一区位于相邻两个第三区之间，第一区两侧分别具有一个第二区，且各第二区位于第一区和第三区之间；在衬底上形成图形结构，图形结构包括位于第一区上的第一图形层、位于第二区上的第二图形层以及位于第三区上的第三图形层，第一图形层和第二图形层相互分立，第二图形层和第三图形层相互分立；去除第二图形层；去除第二图形层后，以第一图形层和第三图形层为掩膜刻蚀衬底，形成基底、位于基底上的第一鳍部以及位于基底上的第二鳍部，第一鳍部以第一图形层为掩膜刻蚀形成，第三鳍部以第三图形层为掩膜刻蚀形成。形成的半导体结构性能得到提升。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、多个第二区、多个第三区和第四区，所述第一区位于相邻两个第三区之间，所述第一区两侧分别具有一个第二区，且各第二区位于第一区和第三区之间，所述第四区为形成的鳍部密集的区域；在所述衬底上形成图形结构，所述图形结构包括位于第一区上的第一图形层、位于第二区上的第二图形层、位于第三区上的第三图形层以及位于第四区上的多个相互分立的第四图形层，所述第一图形层和第二图形层相互分立，所述第二图形层和第三图形层相互分立，所述第二区上第二图形层的数量为1个；去除所述第二图形层；去除第二图形层后，以所述第一图形层、第三图形层和第四图形层为掩膜刻蚀所述衬底，形成基底、位于基底上的第一鳍部、位于基底上的第三鳍部以及位于基底上的第四鳍部，所述第一鳍部以第一图形层为掩膜刻蚀形成，所述第三鳍部以第三图形层为掩膜刻蚀形成，所述第四鳍部以第四图形层为掩膜刻蚀形成，所述第一鳍部和第三鳍部之间的间距大于相邻第四鳍部之间的间距。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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