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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；刻蚀所述氧化层，形成第一栅氧层，所述第一栅氧层侧壁呈倾斜状；在相邻所述第一栅氧层之间形成第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度小于所述第一栅氧层；在所述第一栅氧层和所述第二栅氧层上形成多晶硅层；刻蚀所述第一栅氧层、所述多晶硅层及所述第二栅氧层至露出所述衬底，形成栅极结构。本发明形成了有倾斜状侧壁的所述第一栅氧层，以及厚度小于所述第一栅氧层的所述第二栅氧层，在半导体器件电压高处厚度较厚，在电压低处厚度较薄，在提高半导体器件击穿电压的同时，能保持较小的导通电阻，提高半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽隔离结构；在所述衬底上形成氧化层；刻蚀所述氧化层，形成第一栅氧层，所述第一栅氧层位于所述浅沟槽隔离结构之间的所述衬底上，所述第一栅氧层侧壁呈倾斜状，所述第一栅氧层包括矩形区域以及位于矩形区域两侧的倾斜区域；在相邻所述第一栅氧层之间形成第二栅氧层，所述第二栅氧层的厚度小于所述第一栅氧层；在所述第一栅氧层和所述第二栅氧层上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖全部或者部分所述第一栅氧层的所述矩形区域、远离所述浅沟槽隔离结构的所述倾斜区域以及所述第二栅氧层；刻蚀所述第一栅氧层，去除所述第一栅氧层靠近所述浅沟槽隔离结构的所述倾斜区域，使所述第一栅氧层远离所述浅沟槽隔离结构一侧的侧壁呈倾斜状，靠近所述浅沟槽隔离结构一侧的侧壁呈竖直状；刻蚀相邻所述第一栅氧层之间的所述多晶硅层及所述第二栅氧层至露出所述衬底，形成栅极结构。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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