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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种集成异质结二极管的SiCUMOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。通过用P型多晶硅与SiC漂移层之间形成异质结二极管，将两者之间的导通电阻做小。在SiCUMOSFET器件续流过程中由于导通电阻更小，异质结二极管将先行导通，不仅降低了SiCUMOSFET器件的续流损耗，并且也可以避免SiCUMOSFET由于PN结体二极管续流而发生的双极退化效应发生，避免器件性能恶化。
主权项：1.一种集成异质结二极管的SiCUMOSFET制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上外延生长SiCDrift层（2）；S200，在SiCDrift层（2）的上表面通过Al离子注入形成P-body区（3）；S300，在P-body区（3）上表面通过N离子注入形成N+区（4）；S400，在SiCDrift层（2）上表面从上向下延伸刻蚀形成沟槽区；S500，在P-body区（3）的上表面和沟槽区底部通过Al离子注入形成P+区（5），后采用高温激活退火使所有注入区完成形成；S600，在沟槽区内壁通过通入氧气进行干氧氧化生长形成栅氧化层（6）；S700，在栅氧化层（6）的内部通过多晶硅淀积方式形成Poly层（7），作为器件的门电极；S800，在沟槽区顶部和N+区（4）顶部通过氧化物淀积方式形成隔离介质层（8），隔绝器件的门电极和源电极，避免两者短接；S900，在SiCDrift层（2）的顶部通过P型多晶硅淀积方式形成源级Poly层（9），作器件的异质结二极管；S1000，在SiCDrift层（2）的N+区（4）和P+区（5）上通过Ni金属溅射方式形成一层Ni金属层，之后通过合金化退火形成欧姆接触合金层（10）；S1100，在SiCDrift层（2）、源级Poly层（9）和欧姆接触合金层（10）上通过氧化物淀积方式形成氧化物介质层（11），隔绝源级Poly层（9）和欧姆接触合金层（10），避免两者接触；S1200，在器件上方再次通过TiAlCu金属溅射方式形成一层正面电极金属层（12）。
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权利要求：
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