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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种齐纳二极管的仿真模型及方法，模型包括：齐纳二极管的反向击穿阻抗的第一端接齐纳二极管的发射极，第二端接第一电压源的正极；第一电压源的负极接电压控制电流源的正极，电压控制电流源的负极接齐纳二极管的基极，齐纳二极管的基极还接第二电压源的正极，第二电压源的负极接第一电流控制电流源的正极；第一电流控制电流源的负极接齐纳二极管的集电极，齐纳二极管的集电极还接第二电流控制电流源的正极，第二电流控制电流源的负极接齐纳二极管的集电极。本发明能仿真到PN结的反向击穿特性和反向隧穿漏电流，还能仿真到阳极和阴极的击穿电流以及第三端口集电极和第四端口的N型衬底在击穿电压点的电流。
主权项：1.一种齐纳二极管的仿真模型，其特征在于，包括：齐纳二极管、齐纳二极管的反向击穿阻抗、第一电压源、电压控制电流源、第二电压源、第一电流控制电流源和第二电流控制电流源；所述齐纳二极管的反向击穿阻抗的第一端接齐纳二极管的发射极，第二端接第一电压源的正极；所述第一电压源的负极接所述电压控制电流源的正极，所述电压控制电流源的负极接所述齐纳二极管的基极，所述齐纳二极管的基极还接所述第二电压源的正极，所述第二电压源的负极接所述第一电流控制电流源的正极；所述第一电流控制电流源的负极接所述齐纳二极管的集电极，所述齐纳二极管的集电极还接所述第二电流控制电流源的正极，所述第二电流控制电流源的负极接所述齐纳二极管的集电极，在所述齐纳二极管反向击穿阻抗与所述第一电压源之间设置有第一节点。
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