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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法，该UMOSFET包括：SiC衬底；外延N‑漂移区设置在SiC衬底的上表面；P阱区设置在外延N‑漂移区的上表面；N+区设置在P阱区的上表面；P+阱区从N+区的上表面向下延伸贯穿N+区和P阱区，P+阱区对N+区和P阱区形成包围结构；沟槽栅结构包括沟槽以及设置沟槽内的栅极部分，沟槽在N+区的相邻两侧面与P+阱区的相接位置从上表面向下延伸；源极设置在N+区和P+阱区的上表面；漏极设置在SiC衬底的下表面。本发明能够有效地降低器件的比导通电阻，同时没有增加额外的芯片面积。
主权项：1.一种方形双不对称元胞结构UMOSFET，其特征在于，包括：SiC衬底；外延N-漂移区，设置在所述SiC衬底的上表面；P阱区，设置在所述外延N-漂移区的上表面；N+区，设置在所述P阱区的上表面；P+阱区，从所述N+区的上表面向下延伸贯穿所述N+区和所述P阱区，所述P+阱区的底部位于所述外延N-漂移区内，所述P+阱区对所述N+区和所述P阱区形成包围结构，部分所述N+区位于所述P+阱区内部；沟槽栅结构，包括沟槽以及设置所述沟槽内的栅极部分，所述沟槽在所述N+区的相邻两侧面与所述P+阱区的相接位置从上表面向下延伸，部分沟槽位于所述P+阱区内，部分沟槽贯穿所述N+区和所述P阱区且底部位于所述外延N-漂移区内；源极，设置在所述N+区和所述P+阱区的上表面；漏极，设置在所述SiC衬底的下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法
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