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申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本发明涉及一种方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法,该UMOSFET包括:SiC衬底;外延N‑漂移区设置在SiC衬底的上表面;P阱区设置在外延N‑漂移区的上表面;N+区设置在P阱区的上表面;P+阱区从N+区的上表面向下延伸贯穿N+区和P阱区,P+阱区对N+区和P阱区形成包围结构;沟槽栅结构包括沟槽以及设置沟槽内的栅极部分,沟槽在N+区的相邻两侧面与P+阱区的相接位置从上表面向下延伸;源极设置在N+区和P+阱区的上表面;漏极设置在SiC衬底的下表面。本发明能够有效地降低器件的比导通电阻,同时没有增加额外的芯片面积。
主权项:1.一种方形双不对称元胞结构UMOSFET,其特征在于,包括:SiC衬底;外延N-漂移区,设置在所述SiC衬底的上表面;P阱区,设置在所述外延N-漂移区的上表面;N+区,设置在所述P阱区的上表面;P+阱区,从所述N+区的上表面向下延伸贯穿所述N+区和所述P阱区,所述P+阱区的底部位于所述外延N-漂移区内,所述P+阱区对所述N+区和所述P阱区形成包围结构,部分所述N+区位于所述P+阱区内部;沟槽栅结构,包括沟槽以及设置所述沟槽内的栅极部分,所述沟槽在所述N+区的相邻两侧面与所述P+阱区的相接位置从上表面向下延伸,部分沟槽位于所述P+阱区内,部分沟槽贯穿所述N+区和所述P阱区且底部位于所述外延N-漂移区内;源极,设置在所述N+区和所述P+阱区的上表面;漏极,设置在所述SiC衬底的下表面。
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权利要求:
百度查询: 西安电子科技大学 方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法
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