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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管，制备方法包括：提供一衬底，并在衬底表面沉积外延层，外延层包括依次沉积在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层；在外延层表面部分区域形成N型半导体层导电台阶，其余区域制备电流扩展层；在外延层表面制备电流阻挡层和布拉格反射层后刻蚀，形成布拉格反射层通孔和电流阻挡层通孔，在外延层上制备金属反射层和第一绝缘层，采用BOE腐蚀液对部分第一绝缘层进行处理，形成第一绝缘层通孔后制备接触电极；在接触电极上沉积连接电极、第二绝缘层和焊盘层，得到目标倒装发光二极管。本申请制备的倒装发光二极管，内部电压低、发热少。
主权项：1.一种倒装发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10，提供一衬底，并在所述衬底表面沉积外延层，所述外延层包括依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层；S20，对所述外延层表面部分区域进行刻蚀，刻蚀深度直至所述N型半导体层，得到N型半导体层导电台阶，以在所述外延层上形成N型区，在所述外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层，以在所述外延层上形成P型区；S30，在所述N型区和所述P型区的表面制备电流阻挡层和布拉格反射层，对所述布拉格反射层进行刻蚀，以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔；S40，采用BOE腐蚀液在所述布拉格反射层通孔内进行腐蚀，以在所述电流阻挡层上形成电流阻挡层通孔，在所述P型区的电流阻挡层通孔和布拉格反射层上制备金属反射层，在制备金属反射层后的外延层上制备AL203薄膜和SiO2薄膜，以得到第一绝缘层，制备所述SiO2薄膜的温度大于制备所述AL203薄膜的温度，且温差在100℃以上；S50，采用BOE腐蚀液对部分所述第一绝缘层进行处理，以在所述第一绝缘层上形成第一绝缘层通孔，在所述第一绝缘层通孔内制备接触电极，所述接触电极的厚度与所述第一绝缘层的深度之比小于1:4；S60，在所述接触电极上沉积连接电极，在沉积连接电极后的外延层表面制备第二绝缘层和焊盘层，以得到目标倒装发光二极管。
全文数据：
权利要求：
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