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一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管 

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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

摘要:本发明提供了一种倒装发光二极管制备方法及倒装发光二极管,制备方法包括:提供一衬底,并在衬底表面沉积外延层,外延层包括依次沉积在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层;在外延层表面部分区域形成N型半导体层导电台阶,其余区域制备电流扩展层;在外延层表面制备电流阻挡层和布拉格反射层后刻蚀,形成布拉格反射层通孔和电流阻挡层通孔,在外延层上制备金属反射层和第一绝缘层,采用BOE腐蚀液对部分第一绝缘层进行处理,形成第一绝缘层通孔后制备接触电极;在接触电极上沉积连接电极、第二绝缘层和焊盘层,得到目标倒装发光二极管。本申请制备的倒装发光二极管,内部电压低、发热少。

主权项:1.一种倒装发光二极管制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S10,提供一衬底,并在所述衬底表面沉积外延层,所述外延层包括依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层;S20,对所述外延层表面部分区域进行刻蚀,刻蚀深度直至所述N型半导体层,得到N型半导体层导电台阶,以在所述外延层上形成N型区,在所述外延层表面的其他未刻蚀区域上制备电流扩展层,以在所述外延层上形成P型区;S30,在所述N型区和所述P型区的表面制备电流阻挡层和布拉格反射层,对所述布拉格反射层进行刻蚀,以在所述布拉格反射层上形成布拉格反射层通孔;S40,采用BOE腐蚀液在所述布拉格反射层通孔内进行腐蚀,以在所述电流阻挡层上形成电流阻挡层通孔,在所述P型区的电流阻挡层通孔和布拉格反射层上制备金属反射层,在制备金属反射层后的外延层上制备AL203薄膜和SiO2薄膜,以得到第一绝缘层,制备所述SiO2薄膜的温度大于制备所述AL203薄膜的温度,且温差在100℃以上;S50,采用BOE腐蚀液对部分所述第一绝缘层进行处理,以在所述第一绝缘层上形成第一绝缘层通孔,在所述第一绝缘层通孔内制备接触电极,所述接触电极的厚度与所述第一绝缘层的深度之比小于1:4;S60,在所述接触电极上沉积连接电极,在沉积连接电极后的外延层表面制备第二绝缘层和焊盘层,以得到目标倒装发光二极管。

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