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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层设有所述碳化硅衬底的上侧面；所述漂移层上设有掩蔽层、源区以及沟槽，所述沟槽设于所述掩蔽层上方；绝缘层，所述绝缘层设于所述沟槽内，且所述绝缘层底部连接至所述掩蔽层，所述绝缘层侧壁连接至所述源区，所述绝缘层内设有栅极；肖特基金属层，所述肖特基金属层底部连接至所述漂移层；源极金属层，所述源极金属层底部连接至源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，降低该部分的栅极电场强度，解决栅击穿问题，优化反向恢复特性和续流特性。
主权项：1.一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底；漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面；所述漂移层上设有掩蔽层、源区以及沟槽，所述沟槽设于所述掩蔽层上方；绝缘层，所述绝缘层设于所述沟槽内，且所述绝缘层底部连接至所述掩蔽层，所述绝缘层侧壁连接至所述源区，所述绝缘层内设有栅极；肖特基金属层，所述肖特基金属层底部连接至所述漂移层；源极金属层，所述源极金属层底部连接至源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅极；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET
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