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申请/专利权人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要:本实用新型提供了一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET包括:碳化硅衬底;漂移层,所述漂移层设有所述碳化硅衬底的上侧面;所述漂移层上设有掩蔽层、源区以及沟槽,所述沟槽设于所述掩蔽层上方;绝缘层,所述绝缘层设于所述沟槽内,且所述绝缘层底部连接至所述掩蔽层,所述绝缘层侧壁连接至所述源区,所述绝缘层内设有栅极;肖特基金属层,所述肖特基金属层底部连接至所述漂移层;源极金属层,所述源极金属层底部连接至源区;栅极金属层,所述栅极金属层连接至所述栅极;以及,漏极金属层,所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面,降低该部分的栅极电场强度,解决栅击穿问题,优化反向恢复特性和续流特性。
主权项:1.一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET,其特征在于,包括:碳化硅衬底;漂移层,所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面;所述漂移层上设有掩蔽层、源区以及沟槽,所述沟槽设于所述掩蔽层上方;绝缘层,所述绝缘层设于所述沟槽内,且所述绝缘层底部连接至所述掩蔽层,所述绝缘层侧壁连接至所述源区,所述绝缘层内设有栅极;肖特基金属层,所述肖特基金属层底部连接至所述漂移层;源极金属层,所述源极金属层底部连接至源区;栅极金属层,所述栅极金属层连接至所述栅极;以及,漏极金属层,所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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