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申请/专利权人:中国移动通信集团设计院有限公司;中国移动通信集团有限公司
摘要:本发明公开了一种SiCMOSFET开通过程分析方法、装置、介质及设备,所述方法包括:构建SiCMOSFET的等效测试电路模型;根据所述等效测试电路模型获取SiCMOSFET在开通过程的不同阶段的状态方程,以获得硬开关条件下的SiCMOSFET的行为模型;对所述行为模型进行分析,以根据获得的分析结果进行电路设计与优化。采用本发明的技术方案能够降低SiCMOSFET模型的复杂性,并提高SiCMOSFET模型的实用性。
主权项:1.一种SiCMOSFET开通过程分析方法,其特征在于,包括:构建SiCMOSFET的等效测试电路模型;根据所述等效测试电路模型获取SiCMOSFET在开通过程的不同阶段的状态方程,以获得硬开关条件下的SiCMOSFET的行为模型;对所述行为模型进行分析,以根据获得的分析结果进行电路设计与优化。
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百度查询: 中国移动通信集团设计院有限公司 中国移动通信集团有限公司 一种SiC MOSFET开通过程分析方法、装置、介质及设备
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