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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院
摘要：一种基于无结结构的双沟槽型SiC功率MOSFET，包括衬底和漂移区，漂移区远离衬底的一侧有第一源极金属、第一源区、栅氧化层、第二源区和第二源极金属，第一源区和第二源区设置在栅氧化层的两侧，均为n+源区，在源极金属和源区靠近漂移区的一侧布置N基区，N基区与漂移区之间以氧化物埋层隔开，且氧化物埋层在靠近栅氧化层的一侧开槽，保证电流能够在正向偏置的情况下顺利流通。本发明将UMOS结构与无结结构结合，在不影响击穿的情况下，进一步降低了导通电阻和导通损耗，电流驱动能力更强。同时降低了阈值电压，器件栅控能力更强，并且不会增加工艺上的制造难度。
主权项：1.一种基于无结结构的双沟槽型SiC功率MOSFET，包括衬底和漂移区，所述漂移区远离衬底的一侧有第一源极金属、第一源区、栅氧化层、第二源区和第二源极金属，栅极设置在栅氧化层，第一源区和第二源区设置在栅氧化层的两侧，其特征在于，所述第一源区和第二源区均为n+源区，在所述第一源极金属和第一源区靠近所述漂移区的一侧布置第一N基区，在所述第二源极金属和第二源区靠近所述漂移区的一侧布置第二N基区，所述第一N基区与所述漂移区之间以第一氧化物埋层隔开，所述第二N基区与所述漂移区之间以第二氧化物埋层隔开，且所述第一氧化物埋层和所述第二氧化物埋层均在靠近栅氧化层的一侧开槽，保证电流能够在正向偏置的情况下顺利流通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 一种基于无结结构的双沟槽型SiC功率MOSFET
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