龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种新型碳化硅UMOSFET及其制备方法，其中，UMOSFET包括：N+衬底、N+缓冲区、N‑漂移区、多级电流传输层CSL、P型沟道区、深P柱区域、P+注入区、N+注入区、栅氧化层、栅源隔离氧化层、栅电极、源电极和漏电极；多级电流传输层CSL含有多个层叠的不同浓度电流传输层；P+注入区设置于深P柱区域的表面；本发明通过将P+注入区设置于深P柱区域的表面，并与源电极连接，达到接地的状态，从而形成了非悬浮结构，优化了少子存储效应的同时优化了动态特性；构成的深P型柱结构具有类似于现有的悬浮结保护栅氧化层的能力；通过引入掺杂浓度不同的多级电流传输层CSL可以在一定程度上解决横向弥散的问题。
主权项：1.一种新型碳化硅UMOSFET，其特征在于，包括：N+衬底1、N+缓冲区2、N-漂移区3、多级电流传输层CSL4、P型沟道区5、深P柱区域6、P+注入区7、N+注入区8、栅氧化层9、栅源隔离氧化层10、栅电极11、源电极12和漏电极13；其中，所述N+衬底1、所述N+缓冲区2和所述N-漂移区3自下而上依次层叠设置；所述多级电流传输层CSL4设置于所述N-漂移区3的表面；所述多级电流传输层CSL4含有多个层叠的不同浓度的电流传输层；所述P型沟道区5和所述N+注入区8自下而上依次层叠设置于所述多级电流传输层CSL4的表面，且具有从所述N+注入区8的上表面向下延伸至所述多级电流传输层CSL4内部的栅沟槽；所述深P柱区域6从所述P型沟道区5的两侧延伸至所述N-漂移区3或所述多级电流传输层CSL4中；所述栅沟槽的底部和侧壁设置有所述栅氧化层9，其余部分设置有所述栅电极11；所述P+注入区7从所述深P柱区域6的表面延伸至所述深P柱区域6的内部表面；同侧的深P柱区域6和P+注入区7构成深P型柱结构；所述栅源隔离氧化层10覆盖所述栅电极11、所述栅氧化层9和部分所述N+注入区8的表面；所述源电极12设置于所述P+注入区7、所述N+注入区8和所述栅源隔离氧化层10的表面；所述漏电极13设置于所述N+衬底1远离所述N+缓冲区2的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种新型碳化硅UMOSFET及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号