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一种新型碳化硅UMOSFET及其制备方法 

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申请/专利权人:西安电子科技大学

摘要:本发明公开了一种新型碳化硅UMOSFET及其制备方法,其中,UMOSFET包括:N+衬底、N+缓冲区、N‑漂移区、多级电流传输层CSL、P型沟道区、深P柱区域、P+注入区、N+注入区、栅氧化层、栅源隔离氧化层、栅电极、源电极和漏电极;多级电流传输层CSL含有多个层叠的不同浓度电流传输层;P+注入区设置于深P柱区域的表面;本发明通过将P+注入区设置于深P柱区域的表面,并与源电极连接,达到接地的状态,从而形成了非悬浮结构,优化了少子存储效应的同时优化了动态特性;构成的深P型柱结构具有类似于现有的悬浮结保护栅氧化层的能力;通过引入掺杂浓度不同的多级电流传输层CSL可以在一定程度上解决横向弥散的问题。

主权项:1.一种新型碳化硅UMOSFET,其特征在于,包括:N+衬底1、N+缓冲区2、N-漂移区3、多级电流传输层CSL4、P型沟道区5、深P柱区域6、P+注入区7、N+注入区8、栅氧化层9、栅源隔离氧化层10、栅电极11、源电极12和漏电极13;其中,所述N+衬底1、所述N+缓冲区2和所述N-漂移区3自下而上依次层叠设置;所述多级电流传输层CSL4设置于所述N-漂移区3的表面;所述多级电流传输层CSL4含有多个层叠的不同浓度的电流传输层;所述P型沟道区5和所述N+注入区8自下而上依次层叠设置于所述多级电流传输层CSL4的表面,且具有从所述N+注入区8的上表面向下延伸至所述多级电流传输层CSL4内部的栅沟槽;所述深P柱区域6从所述P型沟道区5的两侧延伸至所述N-漂移区3或所述多级电流传输层CSL4中;所述栅沟槽的底部和侧壁设置有所述栅氧化层9,其余部分设置有所述栅电极11;所述P+注入区7从所述深P柱区域6的表面延伸至所述深P柱区域6的内部表面;同侧的深P柱区域6和P+注入区7构成深P型柱结构;所述栅源隔离氧化层10覆盖所述栅电极11、所述栅氧化层9和部分所述N+注入区8的表面;所述源电极12设置于所述P+注入区7、所述N+注入区8和所述栅源隔离氧化层10的表面;所述漏电极13设置于所述N+衬底1远离所述N+缓冲区2的表面。

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