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申请/专利权人:扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要:一种SiCUMOSFET器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。通过在SiCUMOSFET器件中形成第一沟槽区和第二沟槽区,通过在第一沟槽区底部形成P+Shield区,对第一沟槽区和第二沟槽区底部的栅氧同时进行保护,同时在第一沟槽区和第二沟槽区两边均形成沟道区,从而增加了芯片的沟道区数量,提高了器件通流能力。并且本发明在第一沟槽区底部形成体二极管,使底部的P+Sheild区接地,更进一步提高了其保护能力,而由于体二极管从原本的漂移层上方转移到了内部,因此也降低了体二极管续流过程中的电阻,降低了续流损耗。
主权项:1.一种SiCUMOSFET器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S100,在N+Sub层(1)上外延生长形成N-Drift层(2);S200,在N-Drift层(2)上通过在源区离子注入方式形成电流扩展层CSL(3);S300,在电流扩展层CSL(3)通过Al离子注入在上方形成P-base区(4);S400,在P-base区(4)上通过N离子注入在上方形成NP区(5);S500,在NP区(5)上通过刻蚀形成延伸至电流扩展层CSL(3)下方的第一沟槽区(6);S600,在第一沟槽区(6)的槽底通过Al离子注入形成向下延伸的P+Shield区(7);S700,在NP区(5)的顶面通过刻蚀形成向下延伸至电流扩展层CSL(3)内的第二沟槽区(8);S800,在第一沟槽区(6)和第二沟槽区(8)中分别通过干氧生长一层栅氧层(9);S900,在第一沟槽区(6)中通过刻蚀方式刻蚀掉底部中间的栅氧层(9),为欧姆接触合金层(13)预留窗口;S1000,在第一沟槽区(6)和第二沟槽区(8)中通过淀积方式在栅氧层(9)上形成多晶硅Poly层(11),做器件的门极;S1100,在第一沟槽区(6)和第二沟槽区(8)上通过淀积方式形成隔离介质层(12),避免器件的门极和源极短接;S1200,通过金属溅射方式在第一沟槽区(6)中的底部窗口和NP区(5)的顶面通过合金退火形成欧姆接触合金层(13);S1300,在隔离介质层(12)、欧姆接触合金层(13)上通过Al金属溅射方式形成正面电极金属层(14),作为器件的源电极。
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