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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

摘要：一种SiCUMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。通过在SiCUMOSFET器件中形成第一沟槽区和第二沟槽区，通过在第一沟槽区底部形成P+Shield区，对第一沟槽区和第二沟槽区底部的栅氧同时进行保护，同时在第一沟槽区和第二沟槽区两边均形成沟道区，从而增加了芯片的沟道区数量，提高了器件通流能力。并且本发明在第一沟槽区底部形成体二极管，使底部的P+Sheild区接地，更进一步提高了其保护能力，而由于体二极管从原本的漂移层上方转移到了内部，因此也降低了体二极管续流过程中的电阻，降低了续流损耗。

主权项：1.一种SiCUMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+Sub层（1）上外延生长形成N-Drift层（2）；S200，在N-Drift层（2）上通过在源区离子注入方式形成电流扩展层CSL（3）；S300，在电流扩展层CSL（3）通过Al离子注入在上方形成P-base区（4）；S400，在P-base区（4）上通过N离子注入在上方形成NP区（5）；S500，在NP区（5）上通过刻蚀形成延伸至电流扩展层CSL（3）下方的第一沟槽区（6）；S600，在第一沟槽区（6）的槽底通过Al离子注入形成向下延伸的P+Shield区（7）；S700，在NP区（5）的顶面通过刻蚀形成向下延伸至电流扩展层CSL（3）内的第二沟槽区（8）；S800，在第一沟槽区（6）和第二沟槽区（8）中分别通过干氧生长一层栅氧层（9）；S900，在第一沟槽区（6）中通过刻蚀方式刻蚀掉底部中间的栅氧层（9），为欧姆接触合金层（13）预留窗口；S1000，在第一沟槽区（6）和第二沟槽区（8）中通过淀积方式在栅氧层（9）上形成多晶硅Poly层（11），做器件的门极；S1100，在第一沟槽区（6）和第二沟槽区（8）上通过淀积方式形成隔离介质层（12），避免器件的门极和源极短接；S1200，通过金属溅射方式在第一沟槽区（6）中的底部窗口和NP区（5）的顶面通过合金退火形成欧姆接触合金层（13）；S1300，在隔离介质层（12）、欧姆接触合金层（13）上通过Al金属溅射方式形成正面电极金属层（14），作为器件的源电极。

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