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申请/专利权人：上海道之科技有限公司

摘要：本发明公开了一种新型低电感SiCMosfet车用功率模块，包括功率模块本体，所述功率模块本体主要包括绝缘陶瓷基板及设置在该绝缘陶瓷基板上的SiCMosfet芯片，该芯片的背面通过银烧结面连接于绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，芯片的正面功率极与铜箔通过银烧结面连接，该铜箔的上表面通过铜线连接至绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，芯片的信号极与绝缘陶瓷基板的导电铜层信号电路蚀刻区通过铝线进行信号和控制电路的电气连接；所述绝缘陶瓷基板的正面设置有铜信号端子，绝缘陶瓷基板背面设置有散热铜基板，散热铜基板上设置有注塑外壳，注塑外壳内设置有高温硅凝胶并通过塑料上盖进行密封。

主权项：1.一种新型低电感SiCMosfet车用功率模块，包括SiCMosfet车用功率模块本体，其特征在于：所述SiCMosfet车用功率模块本体包括绝缘陶瓷基板及设置在该绝缘陶瓷基板上的可双面银烧结的SiCMosfet芯片，SiCMosfet芯片的背面通过银烧结面连接于绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，SiCMosfet芯片的正面功率极与铜箔通过银烧结面连接，该铜箔的上表面通过铜线连接至绝缘陶瓷基板的导电铜层功率电路蚀刻区，所述SiCMosfet芯片的信号极与绝缘陶瓷基板的导电铜层信号电路蚀刻区通过铝线进行信号和控制电路的电气连接；所述绝缘陶瓷基板的正面设置有铜信号端子，绝缘陶瓷基板背面设置有散热铜基板，且该散热铜基板的面积大于绝缘陶瓷基板的面积，所述散热铜基板上设置有能够将绝缘陶瓷基板及SiCMosfet芯片包覆在内的带超声波功率端子的注塑外壳，注塑外壳内设置有高温硅凝胶并通过塑料上盖进行密封；所述银烧结面为采用银浆或银膜作为银烧结材料并通过银烧结工艺烧结的连接层，银烧结时的温度为200℃~400℃，烧结压力为5Mpa~50Mpa；所述SiCMosfet芯片的背面及正面的功率极表层覆盖有NiPdAu，AlTiNiVAg或者AlNiVAg可用于银烧结工艺的金属材料层；所述铜箔的材质为高导电和高导热性能的无氧铜，铜箔的表面为裸铜或镀有一层便于进行银烧结工艺的镀银或镀金；所述铜线的线径为12mil、16mil或20mil的其中之一。

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