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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

摘要：本发明公开了一种高可靠性平面栅SiCMOSFET及其制造方法。该高可靠性平面栅SiCMOSFET包括特征沟槽，掺杂类型为第一类型的衬底、外延层和源区，掺杂类型为第二类型的阱区和体区，于特征沟槽之中形成第一导电体、第二导电体和第三导电体。于特征沟槽的两侧及底部形成阱区和源区，于特征沟槽底部形成第一类型接触，于相邻阱区之间的外延层表面形成第二类型接触。本发明通过结构设计，显著提升了器件的短路能力。反向导通时可避免体二极管开启，从而规避双极退化效应，明显提升了器件的应用可靠性。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.一种高可靠性平面栅SiCMOSFET，其特征在于，包括：第四导电体；衬底，位于所述第四导电体之上；外延层，位于所述衬底之上；阱区，位于所述外延层之中；源区，位于所述阱区之中，所述源区的左边界与所述阱区的左边界的间距等于所述源区的右边界与所述阱区的右边界的间距，所述源区的深度小于所述阱区的深度；特征沟槽，位于所述外延层之上、阱区之中、源区之中，所述特征沟槽的左右侧壁均位于源区之中，所述特征沟槽的左边界与所述源区的左边界的间距等于所述特征沟槽的右边界与所述源区的右边界的间距，所述特征沟槽底面高于所述源区底面；体区，位于所述特征沟槽的底部，所述体区的底面位于所述阱区的底面之上；第一导电体，位于所述特征沟槽之中、左侧侧壁以及所述外延层表面；第二导电体，位于所述特征沟槽之中、右侧侧壁以及所述外延层表面；第一介质，位于所述第一导电体与所述外延层、所述阱区、所述源区之间；第二介质，位于所述第二导电体与所述外延层、所述阱区、所述源区之间；第一绝缘体，位于所述第一导电体的两侧及之上；第二绝缘体，位于所述第二导电体的两侧及之上；第三导电体，位于所述第一绝缘体和所述第二绝缘体的之间及之上，与所述体区和源区形成第一类型接触，与所述外延层形成第二类型接触。

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