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申请/专利权人：广州华瑞升阳投资有限公司
申请日：2023-01-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299416A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/24;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种氧化物系半导体MOSFET，具有n型氧化物系半导体层，以及漏电极，源电极，栅电极，介质层。其中所述的氧化物系半导体包括了氧化镓，以氧化镓为例，所述的源电极与n型氧化镓半导体层形成肖特基接触，如此可利用肖特基势垒制备出常关型的氧化镓基MOSFET。
主权项：1.一种氧化物系半导体MOSFET，至少包括：n型氧化物系半导体层，以及漏电极、源电极、栅电极，介质层；其特征在于，所述源电极与所述n型氧化物系半导体层的第一表面形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州华瑞升阳投资有限公司 氧化物系半导体MOSFET
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