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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用，其外延设计结构包括：以高浓度掺杂成型在衬底上的第一外延层，且该第一外延层阻挡衬底扩散；以负斜率阶梯式掺杂浓度经离子注入成型在所述第一外延层上的第二外延层。其中，高浓度掺杂为砷掺杂，且第一外延层的Rdson占比小于MOSFET功率器件总Rdson的5%。本发明采用砷成型第一外延层和精准的负斜率阶梯掺杂浓度成型的第二外延层，使得功率MOSFET在BV增加的同时降低导通电阻，提升DC‑DC能量转换效率，同时降低功率器件的制造成本，且公开的负斜率阶梯式掺杂浓度的第二外延层制作方法与功率器件制造工艺兼容，能够应用于沟槽型和屏蔽栅型MOSFET功率器件当中。
主权项：1.一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构，具有衬底，其特征在于，在所述衬底上由内向外依次设置有第一外延层和第二外延层；所述第一外延层以高浓度砷掺杂成型在所述衬底上，且该第一外延层阻挡所述衬底扩散；所述第二外延层以负斜率阶梯式掺杂浓度成型在所述第一外延层上。
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权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种高性能MOSFET功率器件外延设计结构、制作方法及应用
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