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半导体装置 

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申请/专利权人:罗姆股份有限公司

摘要:半导体装置具备支撑部件、半导体元件、缓冲层以及导通部件。所述半导体元件具有在第一方向上位于与所述支撑部件相对的一侧的相反侧的第一电极以及栅极电极。所述半导体元件与所述支撑部件接合。所述缓冲层与所述第一电极导电接合。所述导通部件与所述缓冲层导电接合。第一固相扩散结合层位于所述第一电极与所述缓冲层之间。所述半导体元件具有在所述第一方向上位于与所述栅极电极所在的一侧相同的一侧且与所述栅极电极相连的栅极指。所述栅极指包括比所述第一电极更向所述缓冲层突出的凸部。在所述缓冲层形成有在所述第一方向上从与所述半导体元件相对的一侧凹陷的凹部。所述凸部的至少一部分收纳于所述凹部。

主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,具备:支撑部件;半导体元件,其具有在第一方向上位于与所述支撑部件相对的一侧的相反侧的第一电极以及栅极电极,并且与所述支撑部件接合;缓冲层,其与所述第一电极导电接合;以及导通部件,其与所述缓冲层导电接合,第一固相扩散结合层位于所述第一电极与所述缓冲层之间,所述半导体元件具有栅极指,该栅极指在所述第一方向上位于与所述栅极电极所在的一侧相同的一侧,且与所述栅极电极相连,所述栅极指包括比所述第一电极更向所述缓冲层突出的凸部,在所述缓冲层形成有凹部,该凹部在所述第一方向上从与所述半导体元件相对的一侧凹陷,所述凸部的至少一部分收纳于所述凹部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 罗姆股份有限公司 半导体装置

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