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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在有源区上在第二方向上延伸；源极漏极区，其位于有源区上并与栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于相邻的源极漏极区之间，其中，竖直电力结构延伸穿过衬底和背面绝缘层，并且具有暴露的下表面；层间绝缘层，其位于背面绝缘层上；背面电力结构，其延伸穿过层间绝缘层并且连接到竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于背面绝缘层和层间绝缘层之间，其中，第一对准绝缘层具有暴露出竖直电力结构的下表面并与背面电力结构接触的第一开口。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，其在所述有源区上沿第二方向延伸，其中，所述第二方向与所述第一方向相交；源极漏极区，其位于所述有源区上，其中，所述源极漏极区与所述栅极结构相邻；背面绝缘层，其位于所述衬底的下表面上；竖直电力结构，其位于所述源极漏极区之中的在所述第二方向上相邻的源极漏极区之间，其中，所述竖直电力结构延伸穿过所述衬底和所述背面绝缘层并具有从所述背面绝缘层暴露出的下表面；层间绝缘层，其位于所述背面绝缘层的下表面上；背面电力结构，其延伸穿过所述层间绝缘层并且连接到所述竖直电力结构；以及第一对准绝缘层，其位于所述背面绝缘层的下表面和所述层间绝缘层之间，其中，所述第一对准绝缘层具有第一开口，所述第一开口暴露出所述竖直电力结构的下表面，并且其中，所述第一对准绝缘层与所述背面电力结构接触。
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