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申请/专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
摘要：提供即使没有高温处理也可制造、能够降低制造成本的层状双氢氧化物电子化合物及其制造方法。在层间包含电子、电子密度为2.0×1018cm‑3以上的层状双氢氧化物电子化合物。层状双氢氧化物电子化合物的制造方法包括将原料层状双氢氧化物和利用电子对存在于上述原料层状双氢氧化物的层间的阴离子进行交换的电子交换剂混合而生成层状双氢氧化物电子化合物的工序。
主权项：1.层状双氢氧化物电子化合物，其为由具有层状结构的双氢氧化物形成的电子化合物，构成所述层状结构的层具有正电荷，在所述层间包含电子，所述层状双氢氧化物电子化合物的电子密度为2.0×1018cm-3以上，其中，所述层状双氢氧化物电子化合物为通式1表示的层状双氢氧化物电子化合物，[Mp+1-xNq+xOH2]a+[Ar-b-ye-y]·mH2O1式1中，M为能形成至少1价金属阳离子的金属元素，N为与M不同的能形成至少1价金属阳离子的金属元素，A为能形成至少1价阴离子的原子或原子团，p为1或2，q为3或4，r为1～3，0x0.9，a＝p×1-x+x×q-2，b≥ar，0y≤b，并且0≤m≤10，所述层状双氢氧化物电子化合物是利用以下层状双氢氧化物电子化合物的制造方法制造的，所述层状双氢氧化物电子化合物的制造方法包括将原料层状双氢氧化物与电子交换剂混合而生成层状双氢氧化物电子化合物的生成工序，其中，所述原料层状双氢氧化物是具有层状结构的双氢氧化物，构成所述层状结构的层具有正电荷，在所述层之间具有阴离子，所述电子交换剂是利用电子对存在于所述层之间的阴离子进行交换的电子交换剂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立研究开发法人科学技术振兴机构 层状双氢氧化物电子化合物及其制造方法
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