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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

摘要：本公开提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件。该制备方法包括：对第一基底的第一表面进行氧化和淀积，得到复合介电层。在复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第一金属层。对位于第一顶面上的第一金属层，和位于第二顶面上的第一金属层进行刻蚀，并暴露出复合介电层，得到第一侧墙金属层。在第一侧墙金属层、位于第一顶面上的复合介电层和位于第二顶面上的复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第二金属层。在第二金属层上进行金属薄膜沉积，得到第三金属层。对第三金属层和第二金属层进行光刻刻蚀，得到栅极。以及在与栅极的第二侧面相邻的第一顶面，和与栅极的第三侧面相邻的第二顶面上进行掺杂，分别得到第一源漏区和第二源漏区。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，包括：对第一基底的第一表面进行氧化和淀积，得到复合介电层；其中，所述第一基底包括阱区；所述第一表面包括第一顶面、第二顶面和第一侧面；所述第一顶面为所述第一基底上非阱区的上表面，所述第二顶面为所述阱区的上表面，所述第二顶面低于所述第一顶面；所述第一侧面为所述第一顶面和所述第二顶面的连接处；在所述复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第一金属层；对位于所述第一顶面上的所述第一金属层，和位于所述第二顶面上的所述第一金属层进行刻蚀，并暴露出所述复合介电层，得到第一侧墙金属层；在所述第一侧墙金属层、位于所述第一顶面上的所述复合介电层和位于所述第二顶面上的所述复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第二金属层；在所述第二金属层上进行金属薄膜沉积，得到第三金属层；其中，所述第三金属层和所述第二金属层的材料不同；对所述第三金属层和所述第二金属层进行光刻刻蚀，得到栅极；其中，所述栅极为未刻蚀的所述第三金属层；以及在与所述栅极的第二侧面相邻的所述第一顶面，和与所述栅极的第三侧面相邻的所述第二顶面上进行掺杂，分别得到第一源漏区和第二源漏区；其中，所述第二侧面是所述第三侧面的对侧；所述第一源漏区为垂直栅晶体管的源漏区，所述第二源漏区为平面晶体管的源漏区；所述垂直栅晶体管和所述平面晶体管共用所述栅极。

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