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申请/专利权人：杭州合盛微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种含稀土栅介质层的平面型SiCMOSFET及其制造方法。其中，所述结构包括：金属层、衬底；设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部设有超结区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、超结区接触的栅氧化层区等。本发明结合多缓冲层，P+N+超结结构以及栅氧化层区结构的方法；利用多缓冲层的结构转移峰值电场，提高了器件承受宇宙射线的能力，消除器件在N+源区，P阱区以及N‑的BJT器件结构的Krik效应的影响，进而达到提高器件耐辐射特性的效果；利用源极下段的P+N+的超结结构有效降低接触电阻，降低器件的损耗，同时调控器件的电场分布情况。
主权项：1.一种含稀土栅介质层的平面型SiCMOSFET，包括：金属层、衬底；其特征在于，还包括：设置于衬底上部的缓冲区，包括若干缓冲层；设置于缓冲区上部的外延层；设置于外延层上部两侧的P阱区，P阱区中间处形成JFET区；所述P阱区上部设有超结区；所述JFET区上部设置有与JFET区、P阱区、超结区接触的栅氧化层区；所述栅氧化层区包括若干稀土栅氧化层；所述栅氧化层区上部依次设置有栅极金属层和包覆栅氧化层区、栅极金属层的钝化层；所述超结区上部覆盖有源极金属层；所述栅氧化层区包括依次设置的第一稀土栅氧化层、第二稀土栅氧化层、第三稀土栅氧化层；且所述第一稀土栅氧化层的材质为Al2O3、第二稀土栅氧化层的材质为Gd2O3、第三稀土栅氧化层的材质为SiO2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州合盛微电子有限公司 一种含稀土栅介质层的平面型SiC MOSFET及其制造方法
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