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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明公开了一种基于二氧化钒的MOSFET器件，包括从下到上依次设置的SiSiO2基底层、Al2O3层、VO2栅极层，在VO2沟道层上设置HfO2栅极层和源漏电极，所述HfO2栅极层将源漏电极隔开，在HfO2栅极层上设置栅电极层。该器件能够较好的保持栅极层二氧化钒的电阻变化率，从而提高MOSFET器件的性能。
主权项：1.一种基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，包括：基底层；过渡层，在所述基底层上方；VO2沟道层，在所述过渡层上方；设置于所述VO2沟道层上的HfO2栅极层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极彼此分割开预定的间隙；栅电极，在所述HfO2栅极层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种基于二氧化钒的MOSFET器件
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