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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及半超结MOSFET结构。半超结MOSFET结构包括：第一导电类型外延层A，第一导电类型外延层A的下表面与第一导电类型衬底层的上表面接触；第一导电类型外延层B，第一导电类型外延层B的下表面与第一导电类型外延层A的上表面接触；高K绝缘柱，高K绝缘柱间隔地形成于第一导电类型外延层B中，从第一导电类型外延层B的上表面向下延伸；第一导电类型外延层C，第一导电类型外延层C覆盖在第一导电类型外延层B上；沟槽栅位于高K绝缘柱的间隔上方；沟槽栅的两侧由上至下依次形成有第一导电类型源区和第二导电类型体区，沟槽栅的底端伸入第一导电类型外延层C中。
主权项：1.一种半超结MOSFET结构，其特征在于，所述半超结MOSFET结构包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延层A，所述第一导电类型外延层A的下表面与所述第一导电类型衬底层的上表面接触；第一导电类型外延层B，所述第一导电类型外延层B的下表面与所述第一导电类型外延层A的上表面接触；高K绝缘柱，所述高K绝缘柱间隔地形成于所述第一导电类型外延层B中，从所述第一导电类型外延层B的上表面向下延伸；第一导电类型外延层C，所述第一导电类型外延层C覆盖在所述第一导电类型外延层B上；沟槽栅，所述沟槽栅位于所述高K绝缘柱的间隔上方；所述沟槽栅的两侧由上至下依次形成有第一导电类型源区和第二导电类型体区，所述沟槽栅的底端伸入所述第一导电类型外延层C中。
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权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半超结MOSFET结构
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